EUV光源
EUV 軟X線光源MIRRORCLE-20
「MIRRORCLE-20ST」 はEUVリソグラフィー用にカスタマイズされた、20MeVのモデルです。
遷移放射及び、チェレンコフ放射機構を利用して、高輝度、EUV、軟X線を発生します。
光原点サイズ6μm×3mmと小さく放射角が縦方向±1.5mrad、横方向±20mradと小さいため高輝度です。
マスク検査用、軟X線XAFS、光電子分光、 EUVリソグラフィーに適したモデルです。 電子周回装置を縦置きにしているので、ウェハの上方から露光することができます。
 |
 |
参考文献 ：H. Yamada, et.al.; “Source for EUV Lithography by the Tabletop
Storage Ring MIRRORCLE”;
J. Micro/Nanolithography, MEMS and MOEMS (JM3); 7(2008)043004-1:65.
20MeVモデルのスペック表
20ST |
|
| 電子周回装置 | 加速空洞有り |
| 磁石のタイプ | 電磁石 |
| 磁石外径 | 80 cm |
| 中心軌道半径 | 15 cm |
| N値 | 0.72 |
| 入射法 | 1/2 共鳴入射法 |
| クライストロンパワー | 最大 10 kW |
| ハーモニクスナンバー | 8 |
| 重量 | 2.0 t |
| 電子ビーム寿命 (ターゲット無し時、 2007年7月現在) |
60 sec |
入射器 |
MICROTRON |
| 加速周波数 | 2.45 GHz |
| RF 源 | 5 MW パルスクライストロン |
| ビーム電流(最大) | 100 mA |
| 繰り返し周波数(最大) | 400 Hz |
| 入射時間ゲート幅 | 0.1 μs |
| 外形寸法 | 外形 130 cm Φ |
| 重量 | 1.75 t |
波長領域 |
EUV |
放射原理 |
遷移放射 |
| 放射角 | 20 mrad horizontaly <1.5 mrad vertically |
Brilliance |
2.3×1016(λ=13.5nm) |
| 電源容量 | 200 (kVA) |
| 20 MeV モデルの寸法 (ビームライン無し) |
W 210 x D 450 x H 143 cm |
| 全体の寸法 (ビームライン有り) |
10 m x 10 mの敷地に設置可能 |
20 MeV モデルの重量 (ビームラインは含まず) |
3.75 t |
遮蔽 |
含む（遮蔽重量140 t） |
| 制御 | 自動立ち上げ及び制御、遠隔モニター及び測定、 緊急時自動立ち下げ |
*1 MIRRORCLEのX線強度は、真空度に左右されます。
MIRRORCLE20STと MIRRORCLE20SXは、受注生産となっています。
詳細については
i@photon-production.co.jp
までお問い合わせ下さい。