1MeV電子銃

高輝度・小型電子銃microtron

マイクロトロンの技術を生かし誕生した、低エネルギー分散(2%)で高輝度な小型の電子銃


 

従来の電子銃では電子銃の他にα磁石や高圧部が必要で、大きく、コストもかかりました。
磁場中で加速するマイクロトロン型の電子銃ではこれらの要素がひとつにまとまり、従来型よりはるかに小型で簡素、低廉化が可能です。


1MVの電子銃 最大ビーム電流400mAを達成。

1mev

マイクロトロン型電子銃の特徴

■   加速空洞に電子銃を内蔵

加熱型の電子銃(LaB6)が加速空洞内壁に取り付けられており、空洞内の加速RF電場1MV/2.5cmで引き出されるため、
低エミッタンスで2A以上の高エミッション電流の発生が可能です。
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■   磁場中を周回し加速

エネルギー選別をしながら加速するため加速効率が高く、エネルギー分散は2%以下で、最大500mAのビーム電流の発生が可能です。直線型電子銃とは違い、低エネルギー成分は全く含まないのが特徴です。

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■   1MV電子銃(300mA)のエミッタンス測定結果

四極磁石掃引法で測定した1MV電子銃のエミッタンス測定結果です。
水平方向:134.98πmm・mrad、縦方向:23.65πmm・mrad。水平方向のエミッタンスが高いですが、スリットを設けることでエミッタンスを下げることができます。100mAのビーム出力で6.83πmm・mradになります。

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